Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4
Информация о товаре
faq
Технические характеристики
Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4
Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4
Дополнительные характеристики
Код производителя
KVR16N11S8/4
Тайминги
CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Основные характеристики
Буферизованная (Registered)
нет
Напряжение питания
1.5
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Поддержка ECC
нет
Тактовая частота
1600
Объем
1 модуль 4 Гб
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тип памяти
DDR3
Пропускная способность
12800 Мб/с
Дополнительно
Количество ранков
1
Количество чипов каждого модуля
односторонняя упаковка