Оперативная память Kingston KVR1333D3N9H/8G
Информация о товаре
faq
Технические характеристики
Оперативная память Kingston KVR1333D3N9H/8G
Оперативная память Kingston KVR1333D3N9H/8G
Тайминги
CAS Latency (CL)
9
RAS to CAS Delay (tRCD)
9
Row Precharge Delay (tRP)
9
Основные характеристики
Буферизованная (Registered)
нет
Напряжение питания
1.5
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Поддержка ECC
нет
Тактовая частота
1333
Объем
1 модуль 8 Гб
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тип памяти
DDR3
Пропускная способность
10600 Мб/с
Дополнительно
Количество ранков
2
Количество чипов каждого модуля
16